DRAM(Dynamic Random Access Memory)它是一种广泛应用于计算机系统的随机访问存储器。DRAM的存储容量通过以下方式计算：

DRAM存储容量通常以字节为单位计算。DRAM芯片可以存储多个字节，通常以行和列的形式排列在芯片中。每个字节通常由一个存储单元组成，每个存储单元可以存储一个二进制数。因此，DRAM芯片的存储容量等于存储单元的数量乘以每个存储单元可以存储的二进制数，即N*8（N为存储单元的数量）。

DRAM的存储容量除了存储单元的数量外，还取决于芯片的行数和列数。行数和列数决定了芯片内部的行间距和列间距，从而影响了DRAM芯片的存储密度。一般来说，HGSEMI，华冠半导体，国产芯片，电子元器件采购平台DRAM的存储容量随行数和列数的增加而增加。

DRAM存储容量也可以根据存储周期（即存储单元可以保持数据的时间）来计算。存储周期越长，DRAM存储容量就越低。这是因为存储周期越长，存储单元需要更长的时间来保持数据，这将增加DRAM芯片的能耗。

一般来说，DRAM存储容量的计算涉及许多因素，如存储单元的数量、每个存储单元可以存储的二进制数位数、行数和列数以及存储周期。这些因素会影响DRAM的存储容量，因此在设计DRAM芯片时需要综合考虑这些因素。

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