据evertiq报道，德国工业巨头博世最近计划通过收购美国芯片制造商TSI半导体来处理碳化硅（SiC）芯片需求持续增长。

未来几年，博世计划在加州罗斯维尔的TSI工厂投资超过15亿美元，并将TSI半导体制造设施转化为最先进的工艺。

TSI半导体拥有250名员工，是一家专门生产特殊集成电路的OEM工厂。目前，该公司在移动、电信、能源和生命科学行业开发和生产了大量200毫米碳化硅晶圆的芯片。自2026年以来，第一批芯片将在这些晶圆上生产。

博世正在通过TSI半导体加强其半导体业务，并将在2030年底前大幅扩大其全球碳化硅芯片产品系列。博世认为，HGSEMI，华冠半导体，国产芯片，电子元器件采购平台这项投资将有助于满足全球经济繁荣和电动汽车发展对碳化硅半导体的巨大需求。

然而，博世明确表示，计划中的投资将严重依赖于美国《芯片与科学法案》获得的联邦基金和加州的经济发展机遇。

两家公司已达成协议，未披露交易的任何财务细节，未经监管部门批准。

“通过收购TSI半导体，我们在一个重要的销售市场上建立了碳化硅芯片的制造能力，并增加了我们在世界各地的半导体制造能力。罗斯维尔现有的洁净室设施和专家将使我们能够更大规模地生产电动汽车碳化硅芯片。”博世董事会主席Stefan Hartung博士在新闻稿中说。

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