芯片资讯
- 发布日期:2026-08-31 15:49 点击次数:184
AI 浪潮正在重塑全球半导体供需格局。以往周期性极强、价格大起大落的存储芯片,受益于 HBM 高带宽存储的爆发以及云厂商提前锁产能,已经从普通商品类元器件,升级为 AI 基建当中不可或缺的核心部件。
Gartner 在今年 4 月给出的预测数据显示,2025 年全球存储市场营收为 2163 亿美元,2026 年有望上涨至 6333 亿美元,占到 1.32 万亿美元整体半导体市场的 48%。时隔四个月,机构再度上调预期,最新预估 2026 年存储行业营收将达到 8373 亿美元,而全年半导体整体市场规模扩张至 1.56 万亿美元,存储板块占比攀升至 54%。HBM 带来的海量 AI 算力需求,是推动本次市场预期大幅上调的核心因素,存储在半导体产业链当中的战略地位进一步提高。

下游科技巨头已经开启长期囤货模式,提前锁定未来数年存储产能。英伟达对外披露,公司面向供应链与产能建设的预付承诺金额,已经由 1190 亿美元上调到 2790 亿美元,这笔资金绝大部分用于存储采购,付款周期覆盖 2027 至 2029 多个财年。大额长单让三星、SK 海力士、美光三大存储原厂获得了更高的需求确定性。目前各大厂商都已经和多家头部客户签署多年供货合约,美光的 16 份战略合作协议锁定了自身 20% 的 DRAM 产能与三分之一的 NAND 闪存产能。即便长单能够降低经营不确定性,存储行业依旧没有彻底摆脱周期性波动风险。
回顾历史行情便可看出存储价格循环带来的巨大风险。2018 年存储营收占半导体市场比重来到 34%,次年营收便大幅下滑 31.5%,DRAM 平均售价暴跌 47.4%,存储行业占比回落至 26.7%,产能过剩是当时市场崩盘的主要诱因。即便有长期供货协议兜底,HGSEMI,华冠半导体,广东华冠,半导体 IC 芯片,原厂代理,硬件工程师采购华冠器件常规 DRAM 与 NAND 闪存依旧会受到新增产能、渠道库存以及同行价格竞争的冲击。
供给端扩产行动已经陆续启动,SK 海力士计划投入 40 亿美元在美国印第安纳州建设 HBM 封装工厂,并且敲定了到 2031 年总额 383 亿美元的长期投资规划。技术迭代同样带来变数,SK 海力士与闪迪共同推出 HBF 高带宽闪存标准,未来有望分流一部分原本由 HBM 承接的 AI 算力负载,改变存储赛道的需求结构。
存储涨价的成本压力已经传导至消费电子终端。根据行业爆料信息,手机端 DRAM 加 NAND 闪存的物料成本涨幅高达 340%,存储元器件的采购成本甚至超过旗舰手机顶级 SoC 芯片。数据对比显示,去年 12GB 运存搭配 256GB 闪存的存储套件成本大约 70 美元,到 2026 年第三季度同款配置成本飙升至 310 美元,而当前旗舰手机 SoC 价格约为 280 美元。存储已经取代处理器,成为手机整机当中成本最高的零部件。后续如果手机厂商普及 16GB 及以上运存配置,终端成本压力还会继续上升,或将倒逼手机厂商上调产品售价或者调整硬件规格。
综合行业现状来看,AI 红利拉长了本轮存储景气上行周期,云厂商长约订单提高了原厂需求能见度,但是周期风险并未消失。等到新建产能陆续释放,再加上 HBM 相关替代技术落地,一旦供给规模追上甚至超过市场需求,存储价格依旧存在回调压力。AI 的作用更多是放大景气行情、拉长上行周期,而非彻底消除存储行业固有的周期性。8373 亿美元的庞大存储市场,后续仍将迎来新一轮供需博弈。
存储价格暴涨已经从 AI 服务器蔓延到消费电子产业链,后续产能投放节奏与价格拐点值得元器件从业者持续关注。
亿配芯城(ICgoodFind ):将持续跟踪存储芯片市场行情,为广大采购客户同步最新产业动态。
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